संचार प्रणालियों के लिए उच्च प्रदर्शन SSMA-JW2 आरएफ समाक्षीय कनेक्टर
उच्च प्रदर्शन आरएफ समाक्षीय कनेक्टर
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HUADA SSMA-JW2 आरएफ समाक्षीय कनेक्टर: कॉम्पैक्ट डिजाइन, बेहतर प्रदर्शन
SSMA-JW2 RF Coaxial Connector कॉम्पैक्ट डिजाइन को असाधारण प्रदर्शन के साथ जोड़ती है। चाहे आप वायरलेस नेटवर्क, उपग्रह संचार उपकरण,या अन्य उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगों, यह कनेक्टर उत्कृष्ट परिणाम देता है।
HUADA SSMA-JW2 आरएफ समाक्षीय कनेक्टर की क्षमता का खुलासा
कॉम्पैक्ट डिज़ाइनः SSMA-JW2 कनेक्टर का छोटा आकार कारक इसे अंतरिक्ष-प्रतिबंधित वातावरण के लिए आदर्श बनाता है। यह आपके पीसीबी या डिवाइस पर अनावश्यक अचल संपत्ति नहीं लेगा।
उच्च विश्वसनीयता: एक मजबूत निर्माण और टिकाऊ सामग्री के साथ, एसएसएमए-जेडब्ल्यू 2 मांग वाली परिस्थितियों में भी लगातार प्रदर्शन सुनिश्चित करता है।यह सिग्नल अखंडता से समझौता किए बिना लगातार संभोग चक्र का सामना कर सकता है.
प्रतिबाधा मिलान (50 Ω): संकेत हानि को कम करने के लिए उचित प्रतिबाधा बनाए रखना महत्वपूर्ण है। SSMA-JW2 कनेक्टर आपके सिस्टम में कुशल शक्ति हस्तांतरण सुनिश्चित करता है।
व्यापक तापमान सीमाः गर्मियों से लेकर ठंडी सर्दियों तक, एसएसएमए-जेडडब्ल्यू 2 विश्वसनीय रूप से काम करता है। इसका तापमान सीमा -55 °C से +155 °C तक फैली हुई है।
कम संपर्क प्रतिरोध: SSMA-JW2 कम संपर्क प्रतिरोध के साथ ऊर्जा हानि को कम करता है। बाहरी कंडक्टर में 0.0025 Ω का प्रभावशाली प्रदर्शन होता है, जबकि केंद्रीय कंडक्टर 0.006 Ω तक पहुंचता है।
इन्सुलेशन गुण: 1000 एमओएम के इन्सुलेशन प्रतिरोध के साथ, एसएसएमए-जेडडब्ल्यू2 सिग्नल अलगाव बनाए रखता है और रिसाव को रोकता है।
विद्युतरोधक शक्तिः कनेक्टर बिना टूटने के 750 वी तक का कार्य कर सकता है, जिससे सुरक्षित संचालन सुनिश्चित होता है।
व्यापक आवृत्ति रेंजः DC से 30 GHz तक, SSMA-JW2 व्यापक अनुप्रयोगों को कवर करता है।
उत्कृष्ट वीएसडब्ल्यूआरः 1.07 + 0.01 एफ का वोल्टेज स्टैंडिंग वेव रेशियो (वीएसडब्ल्यूआर) न्यूनतम सिग्नल प्रतिबिंब और अधिकतम शक्ति हस्तांतरण सुनिश्चित करता है।
तकनीकी विशेषताओं की तालिकाः
प्रतिबाधा | 50 Ω |
संभोग चक्र | 500 |
अधिकतम परिचालन तापमान | +155 °C |
न्यूनतम संचालन तापमान | -55 °C |
श्रृंखला | आरएफ समाक्षीय कनेक्टर |
संपर्क प्रतिरोध बाहरी कंडक्टर | 0.0025 Ω |
संपर्क प्रतिरोध केंद्र कंडक्टर | 0.006 Ω |
इन्सुलेशन प्रतिरोध | 1000 एमओएम |
डायलेक्ट्रिक प्रतिरोधक वोल्टेज | 750 वी |
अधिकतम आवृत्ति | 0~30 गीगाहर्ट्ज |
वीएसडब्ल्यूआर | 1.07+0.01F |

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